PMGD175XN,2311193,双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1 A, 30 V, 0.17 ohm, 4.5 V, 1 V,NEXPERIA
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PMGD175XN - 

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1 A, 30 V, 0.17 ohm, 4.5 V, 1 V

NEXPERIA PMGD175XN
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PMGD175XN
仓库库存编号：
2311193
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PMGD175XN产品信息

  晶体管极性  双N沟道  
  电流, Id 连续  1A  
  漏源电压, Vds  30V  
  在电阻RDS（上）  0.17ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  1V  
  功耗 Pd  390mW  
  晶体管封装类型  SOT-363  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

PMGD175XN产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000006
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