PMFPB8032XP,2191755,晶体管, MOSFET, P沟道+肖特基, 3 A, 20 V, 0.08 ohm, 4.5 V, -600 mV,NEXPERIA
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PMFPB8032XP - 

晶体管, MOSFET, P沟道+肖特基, 3 A, 20 V, 0.08 ohm, 4.5 V, -600 mV

NEXPERIA PMFPB8032XP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PMFPB8032XP
仓库库存编号：
2191755
技术数据表：
(EN)
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PMFPB8032XP产品信息

  晶体管极性  P沟道+肖特基  
  电流, Id 连续  3A  
  漏源电压, Vds  20V  
  在电阻RDS（上）  0.08ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  -600mV  
  功耗 Pd  485mW  
  晶体管封装类型  SOT-1118  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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型号 制造商 描述 操作
PMFPB8032XP,115
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MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

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MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

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MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

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MOSFET Broad small-signal MOSFET Portfolio

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PMFPB8032XP,115
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Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-Pin HUSON EP T/R

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
PMFPB8032XP,115
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Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-Pin DFN EP T/R (Alt: PMFPB8032XP,115)

RoHS: Compliant

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PMFPB8032XP,115
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Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-Pin DFN EP T/R - Tape and Reel (Alt: PMFPB8032XP,115)

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PMFPB8032XP
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MOSFET-SCHOTTKY, 20V, SOT1118

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Single P-Channel 20 V 156 mOhm 8.6 nC 1100 mW Silicon SMT Mosfet - DFN-2020

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PMFPB8032XP,115
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Single P-Channel 20 V 156 mOhm 8.6 nC 1100 mW Silicon SMT Mosfet - DFN-2020

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
PMFPB8032XP
NEXPERIA PMFPB8032XP		2191755

NEXPERIA

晶体管, MOSFET, P沟道+肖特基, 3 A, 20 V, 0.08 ohm, 4.5 V, -600 mV

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Nexperia USA Inc. - PMFPB8032XP,115 - MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6		Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.7A（Ta） 485mW（Ta），6.25W（Tc） DFN2020-6

型号：PMFPB8032XP,115
仓库库存编号：1727-1351-1-ND
别名：1727-1351-1
568-10788-1
568-10788-1-ND
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
PMFPB8032XP|NXPPMFPB8032XP
NXP		场效应管 MOSFET-肖特基 20V SOT1118
Rohs

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PMFPB8032XP,115|NXP SemiconductorsPMFPB8032XP,115
NXP Semiconductors		MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
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PMFPB8032XP,115|NXP SemiconductorsPMFPB8032XP,115
NXP Semiconductors		MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
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NXP		场效应管 MOSFET-肖特基 20V SOT1118
Rohs

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

PMFPB8032XP产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000007
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