PMDT290UNE,2069554,双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 800 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 750 mV,NEXPERIA
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4.7μF 63V 5mm
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双路场效应管MOSFET晶体管
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PMDT290UNE
PMDT290UNE -
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 800 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 750 mV
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NEXPERIA
NEXPERIA
制造商产品编号:
PMDT290UNE
仓库库存编号:
2069554
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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PMDT290UNE产品信息
晶体管极性
双N沟道
电流, Id 连续
800mA
漏源电压, Vds
20V
在电阻RDS(上)
0.29ohm
电压 @ Rds测量
4.5V
阈值电压 Vgs
750mV
功耗 Pd
500mW
晶体管封装类型
SOT-666
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
PMDT290UNE关联产品
制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
TC1411EOA
1834895
MICROCHIP
驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.5V-16V电源, 1A输出, 30ns延迟, SOIC-8
(EN)
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电流, Id 连续 800mA
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双路场效应管MOSFET晶体管 电流, Id 连续 800mA
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漏源电压, Vds 20V
NEXPERIA 漏源电压, Vds 20V
双路场效应管MOSFET晶体管 漏源电压, Vds 20V
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在电阻RDS(上) 0.29ohm
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双路场效应管MOSFET晶体管 在电阻RDS(上) 0.29ohm
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电压 @ Rds测量 4.5V
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双路场效应管MOSFET晶体管 电压 @ Rds测量 4.5V
NEXPERIA 双路场效应管MOSFET晶体管 电压 @ Rds测量 4.5V
阈值电压 Vgs 750mV
NEXPERIA 阈值电压 Vgs 750mV
双路场效应管MOSFET晶体管 阈值电压 Vgs 750mV
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功耗 Pd 500mW
NEXPERIA 功耗 Pd 500mW
双路场效应管MOSFET晶体管 功耗 Pd 500mW
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晶体管封装类型 SOT-666
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双路场效应管MOSFET晶体管 晶体管封装类型 SOT-666
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针脚数 6引脚
NEXPERIA 针脚数 6引脚
双路场效应管MOSFET晶体管 针脚数 6引脚
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工作温度最高值 150°C
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双路场效应管MOSFET晶体管 工作温度最高值 150°C
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产品范围 -
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MSL MSL 1 -无限制
NEXPERIA MSL MSL 1 -无限制
双路场效应管MOSFET晶体管 MSL MSL 1 -无限制
NEXPERIA 双路场效应管MOSFET晶体管 MSL MSL 1 -无限制
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
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PMDT290UNE产地与重量
原产地:
Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85411000
重量(千克):
.000001
美国1号品牌选型
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