PMDPB80XP,2191807,双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.7 A, -20 V, 0.08 ohm, -4.5 V, -600 mV,NEXPERIA
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4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
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双路场效应管MOSFET晶体管
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PMDPB80XP
PMDPB80XP -
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.7 A, -20 V, 0.08 ohm, -4.5 V, -600 mV
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NEXPERIA
NEXPERIA
制造商产品编号:
PMDPB80XP
仓库库存编号:
2191807
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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PMDPB80XP产品信息
晶体管极性
双P沟道
电流, Id 连续
-3.7A
漏源电压, Vds
-20V
在电阻RDS(上)
0.08ohm
电压 @ Rds测量
-4.5V
阈值电压 Vgs
-600mV
功耗 Pd
485mW
晶体管封装类型
SOT-1118
针脚数
8引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
PMDPB80XP关联产品
制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
SM111
3480586
IDEAL-TEK
镊子, 操作, SMD, 120 mm, 不锈钢体, 不锈钢尖
(EN)
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电流, Id 连续 -3.7A
NEXPERIA 电流, Id 连续 -3.7A
双路场效应管MOSFET晶体管 电流, Id 连续 -3.7A
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漏源电压, Vds -20V
NEXPERIA 漏源电压, Vds -20V
双路场效应管MOSFET晶体管 漏源电压, Vds -20V
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在电阻RDS(上) 0.08ohm
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双路场效应管MOSFET晶体管 在电阻RDS(上) 0.08ohm
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电压 @ Rds测量 -4.5V
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双路场效应管MOSFET晶体管 电压 @ Rds测量 -4.5V
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阈值电压 Vgs -600mV
NEXPERIA 阈值电压 Vgs -600mV
双路场效应管MOSFET晶体管 阈值电压 Vgs -600mV
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功耗 Pd 485mW
NEXPERIA 功耗 Pd 485mW
双路场效应管MOSFET晶体管 功耗 Pd 485mW
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晶体管封装类型 SOT-1118
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双路场效应管MOSFET晶体管 晶体管封装类型 SOT-1118
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针脚数 8引脚
NEXPERIA 针脚数 8引脚
双路场效应管MOSFET晶体管 针脚数 8引脚
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工作温度最高值 150°C
NEXPERIA 工作温度最高值 150°C
双路场效应管MOSFET晶体管 工作温度最高值 150°C
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产品范围 -
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NEXPERIA 双路场效应管MOSFET晶体管 产品范围 -
汽车质量标准 -
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MSL MSL 1 -无限制
NEXPERIA MSL MSL 1 -无限制
双路场效应管MOSFET晶体管 MSL MSL 1 -无限制
NEXPERIA 双路场效应管MOSFET晶体管 MSL MSL 1 -无限制
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
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PMDPB80XP产地与重量
原产地:
China
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.000007
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
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