PMDPB58UPE,2292006,双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -700 mV,NEXPERIA
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PMDPB58UPE - 

双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -700 mV

NEXPERIA PMDPB58UPE
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PMDPB58UPE
仓库库存编号：
2292006
技术数据表：
(EN)
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PMDPB58UPE产品信息

  晶体管极性  双P沟道  
  电流, Id 连续  -4.5A  
  漏源电压, Vds  -20V  
  在电阻RDS（上）  0.058ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -700mV  
  功耗 Pd  515mW  
  晶体管封装类型  SOT-1118  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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型号 制造商 描述 操作
PMDPB58UPE,115
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MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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PMDPB58UPE,115
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MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6

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MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6

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PMDPB58UPE,115
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MOSFET 20V, Dual P-Channel Trench MOSFET

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PMDPB58UPE,115
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Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin HUSON EP T/R

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PMDPB58UPE,115
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Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin HUSON EP T/R - Tape and Reel (Alt: PMDPB58UPE,115)

RoHS: Compliant

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PMDPB58UPE,115
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Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin HUSON EP T/R

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PMDPB58UPE,115
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Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin HUSON EP T/R

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PMDPB58UPE
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MOSFET, PP CH, 20V, 3.5A, SOT1118

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PMDPB58UPE,115
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Dual P-Channel 20 V 67 mOhm 6.3 nC SMT Trench Mosfet - DFN 2020-6

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PMDPB58UPE115
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
PMDPB58UPE
NEXPERIA PMDPB58UPE		2292006

NEXPERIA

双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -700 mV

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PMDPB58UPE|NXPPMDPB58UPE
NXP		场效应管 MOSFET 双P沟道 20V 3.5A SOT1118
Rohs

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PMDPB58UPE,115|NXP SemiconductorsPMDPB58UPE,115
NXP Semiconductors		MOSFET P-CH 20V DUAL HUSON6
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PMDPB58UPE|NXPPMDPB58UPE
NXP		场效应管 MOSFET 双P沟道 20V 3.5A SOT1118
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PMDPB58UPE,115|NXP SemiconductorsPMDPB58UPE,115
NXP Semiconductors		MOSFET P-CH 20V DUAL HUSON6
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Nexperia USA Inc. - PMDPB58UPE,115 - MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6		Nexperia USA Inc.
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.6A 515mW Surface Mount DFN2020-6

型号：PMDPB58UPE,115
仓库库存编号：1727-1237-1-ND
别名：1727-1237-1 <br>568-10442-1 <br>568-10442-1-ND <br>

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QQ:800152669

PMDPB58UPE产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000007
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