PMDPB58UPE,2292006,双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -700 mV,NEXPERIA
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amphenol
4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
2581138
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双路场效应管MOSFET晶体管
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PMDPB58UPE
PMDPB58UPE -
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -700 mV
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NEXPERIA
NEXPERIA
制造商产品编号:
PMDPB58UPE
仓库库存编号:
2292006
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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PMDPB58UPE产品信息
晶体管极性
双P沟道
电流, Id 连续
-4.5A
漏源电压, Vds
-20V
在电阻RDS(上)
0.058ohm
电压 @ Rds测量
-4.5V
阈值电压 Vgs
-700mV
功耗 Pd
515mW
晶体管封装类型
SOT-1118
针脚数
8引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
PMDPB58UPE相关搜索
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电流, Id 连续 -4.5A
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双路场效应管MOSFET晶体管 电流, Id 连续 -4.5A
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漏源电压, Vds -20V
NEXPERIA 漏源电压, Vds -20V
双路场效应管MOSFET晶体管 漏源电压, Vds -20V
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在电阻RDS(上) 0.058ohm
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双路场效应管MOSFET晶体管 在电阻RDS(上) 0.058ohm
NEXPERIA 双路场效应管MOSFET晶体管 在电阻RDS(上) 0.058ohm
电压 @ Rds测量 -4.5V
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双路场效应管MOSFET晶体管 电压 @ Rds测量 -4.5V
NEXPERIA 双路场效应管MOSFET晶体管 电压 @ Rds测量 -4.5V
阈值电压 Vgs -700mV
NEXPERIA 阈值电压 Vgs -700mV
双路场效应管MOSFET晶体管 阈值电压 Vgs -700mV
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功耗 Pd 515mW
NEXPERIA 功耗 Pd 515mW
双路场效应管MOSFET晶体管 功耗 Pd 515mW
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晶体管封装类型 SOT-1118
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双路场效应管MOSFET晶体管 晶体管封装类型 SOT-1118
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针脚数 8引脚
NEXPERIA 针脚数 8引脚
双路场效应管MOSFET晶体管 针脚数 8引脚
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工作温度最高值 150°C
NEXPERIA 工作温度最高值 150°C
双路场效应管MOSFET晶体管 工作温度最高值 150°C
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产品范围 -
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双路场效应管MOSFET晶体管 产品范围 -
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汽车质量标准 -
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双路场效应管MOSFET晶体管 汽车质量标准 -
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MSL MSL 1 -无限制
NEXPERIA MSL MSL 1 -无限制
双路场效应管MOSFET晶体管 MSL MSL 1 -无限制
NEXPERIA 双路场效应管MOSFET晶体管 MSL MSL 1 -无限制
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
PMDPB58UPE产地与重量
原产地:
China
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.000007
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
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