PMCM650VNE,2498577,晶体管, MOSFET, N沟道, 6.4 A, 12 V, 0.021 ohm, 4.5 V, 600 mV,NEXPERIA
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PMCM650VNE - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 6.4 A, 12 V, 0.021 ohm, 4.5 V, 600 mV

NEXPERIA PMCM650VNE
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制造商产品编号:
PMCM650VNE
仓库库存编号:
2498577
技术数据表:
(EN)
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PMCM650VNE产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  6.4A  
  漏源电压, Vds  12V  
  在电阻RDS(上)  0.021ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  600mV  
  功耗 Pd  556mW  
  晶体管封装类型  WL-CSP  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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Nexperia

MOSFET 12V N-Channel Trench MOSFET

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PMCM650VNEZ
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Nexperia

MOSFETs

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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PMCM650VNE
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Nexperia

MOSFET, N-CH, 12V, 6.4A, WLCSP-6

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MOSFET, N-CH, 12V, 6.4A, WLCSP-6

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PMCM650VNE
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无图PMCM650VNE
NXP
场效应管, MOSFET, N沟道, 12V, 6.4A, WLCSP-6;
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NXP Semiconductors
Light to Digital Converters 12V N-Channel Trench MOSFET
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PMCM650VNE
NEXPERIA PMCM650VNE
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晶体管, MOSFET, N沟道, 6.4 A, 12 V, 0.021 ohm, 4.5 V, 600 mV

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PMCM650VNE
NEXPERIA PMCM650VNE
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晶体管, MOSFET, N沟道, 6.4 A, 12 V, 0.021 ohm, 4.5 V, 600 mV

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Nexperia USA Inc. - PMCM650VNEZ - MOSFET N-CH 12V 4WLCSP
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 12V 4WLCSP

详细描述:表面贴装 N 沟道 6.4A(Ta) 556mW(Ta), 12.5W(Tc) 6-WLCSP(1.48x.98)

型号:PMCM650VNEZ
仓库库存编号:1727-2275-1-ND
别名:1727-2275-1
568-12561-1
568-12561-1-ND
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PMCM650VNE产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412100
重量(千克):
.002
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