PBSS4041SPN,1829389,双极晶体管阵列, NPN, PNP, 60 V, 2.3 W, 6.7 A, 300 hFE, SOIC,NEXPERIA

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PBSS4041SPN -

双极晶体管阵列, NPN, PNP, 60 V, 2.3 W, 6.7 A, 300 hFE, SOIC

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制造商：: NEXPERIA NEXPERIA
制造商产品编号：: PBSS4041SPN
仓库库存编号：: 1829389
技术数据表：: (EN)

订购热线： 400-900-3095 0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

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PBSS4041SPN产品概述

The PBSS4041SPN is a 60V NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Transistor with very low collector-emitter saturation voltage and high efficiency due to less heat generation. Suitable for load switch, battery driven devices and charging circuits.

150°C Junction temperature
Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
High collector current capability
High collector current gain

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Q Q：800152669
手机网站：m.szcwdz.com

PBSS4041SPN产地与重量

原产地：: Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：: 是
税则号：: 85412100
重量（千克）：: .000141

美国1号品牌选型新加坡2号品牌选型

英国2号品牌选型英国10号品牌选型

日本5号品牌选型

晶体管极性	NPN, PNP
集电极发射电压, Vceo	60V
功耗 Pd	2.3W
集电极直流电流	6.7A
直流电流增益, hFE	300hFE
晶体管封装类型	SOIC
针脚数	8引脚
工作温度最高值	150°C
产品范围	-
汽车质量标准	-
MSL	MSL 1 -无限制
关键词

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双极晶体管阵列, NPN, PNP, 60 V, 2.3 W, 6.7 A, 300 hFE, SOIC

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