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BUK765R0-100E - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 3 V

NEXPERIA BUK765R0-100E
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制造商产品编号：
BUK765R0-100E
仓库库存编号：
2112554
技术数据表：
(EN)
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BUK765R0-100E产品概述

The BUK765R0-100E is a 100V standard level N-channel MOSFET uses TrenchMOS technology. Suitable for thermal demanding environments, transmission control, motor, lamps, solenoid controls and ultra high performance power switching applications.
  • 175°C Junction temperature
  • AEC-Q101 qualified
  • Repetitive avalanche rated
  • True standard level gate with VGS (th) rating of >1V at 175°C

电源管理, 车用, 电机驱动与控制, 照明, HVAC, 自动化与过程控制

BUK765R0-100E产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  120A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS（上）  0.0039ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  357W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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QQ:800152669

BUK765R0-100E产地与重量

原产地：
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
Y-Ex
税则号：
85412900
重量（千克）：
.001454
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