BUK755R4-100E,2215769,晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0041 ohm, 10 V, 3 V,NEXPERIA
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BUK755R4-100E
BUK755R4-100E -
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0041 ohm, 10 V, 3 V
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制造商:
NEXPERIA
NEXPERIA
制造商产品编号:
BUK755R4-100E
仓库库存编号:
2215769
技术数据表:
(EN)
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400-900-3095 0755-21000796, QQ:
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BUK755R4-100E产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
120A
漏源电压, Vds
100V
在电阻RDS(上)
0.0041ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
3V
功耗 Pd
349W
晶体管封装类型
TO-220AB
针脚数
3引脚
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
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关键词
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晶体管极性 N沟道
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电流, Id 连续 120A
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漏源电压, Vds 100V
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在电阻RDS(上) 0.0041ohm
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电压 @ Rds测量 10V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V
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阈值电压 Vgs 3V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 3V
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功耗 Pd 349W
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 349W
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晶体管封装类型 TO-220AB
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针脚数 3引脚
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
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工作温度最高值 175°C
NEXPERIA 工作温度最高值 175°C
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -
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邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
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BUK755R4-100E产地与重量
原产地:
Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
Y-Ex
税则号:
85412900
重量(千克):
.002008
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