BSP250,115,1758086,晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -30 V, 250 mohm, -10 V, -2.8 V,NEXPERIA
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BSP250,115 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -30 V, 250 mohm, -10 V, -2.8 V

NEXPERIA BSP250,115
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制造商产品编号：
BSP250,115
仓库库存编号：
1758086
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSP250,115产品概述

The BSP250,115 is a -30V P-channel Enhancement Mode vertical D-MOS Transistor with high speed switching and low on resistance makes this device suitable for use in low loss motor, actuator drivers and power switching applications.
  • 150°C Junction temperature

电源管理, 工业, 电机驱动与控制

BSP250,115产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -1A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS（上）  250mohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -2.8V  
  功耗 Pd  5W  
  晶体管封装类型  SOT-223  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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BSP250,115产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.001588
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