BSP122,115,1758079,晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 200 V, 1.7 ohm, 10 V, 2 V,NEXPERIA
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BSP122,115 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 200 V, 1.7 ohm, 10 V, 2 V

NEXPERIA BSP122,115
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制造商产品编号:
BSP122,115
仓库库存编号:
1758079
技术数据表:
(EN)
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BSP122,115产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  750mA  
  漏源电压, Vds  200V  
  在电阻RDS(上)  1.7ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2V  
  功耗 Pd  1.5W  
  晶体管封装类型  SOT-223  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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BSP122,115
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Nexperia

MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223

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MOSFET TAPE-7 MOSFET

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Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R

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Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R

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Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R

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Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: BSP122,115)

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MOSFET, N CH, 200V, 0.55A, SOT223

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N-Channel 200 V 2.5 Ohm 1.5 W Enhancement Mode D-MOS Transistor SOT-223

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N-Channel 200 V 2.5 Ohm 1.5 W Enhancement Mode D-MOS Transistor SOT-223

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NXP Semiconductors
MOSFET TAPE-7 MOSFET
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NXP
BSP 系列 200 V 2.5 Ω 1.5 W N-沟道 增强型 D-MOS 晶体管 SOT-223
Rohs

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NXP
场效应管 MOSFET N沟道 200V 0.55A SOT223
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Nexperia USA Inc. - BSP122,115 - MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223

详细描述:表面贴装 N 沟道 550mA(Ta) 1.5W(Ta) SOT-223

型号:BSP122,115
仓库库存编号:1727-5406-1-ND
别名:1727-5406-1
568-6849-1
568-6849-1-ND
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BSP122,115
NEXPERIA BSP122,115
1758079

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晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 200 V, 1.7 ohm, 10 V, 2 V

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晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 200 V, 1.7 ohm, 10 V, 2 V

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Nexperia - BSP122,115 - NXP Si N沟道 MOSFET BSP122,115, 550 mA, Vds=200 V, 4引脚 SC-73封装

制造商零件编号:
BSP122,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
508-591
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BSP 系列 200 V 2.5 Ω 1.5 W N-沟道 增强型 D-MOS 晶体管 SOT-223
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BSP122,115|NXP SemiconductorsBSP122,115
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223
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场效应管 MOSFET N沟道 200V 0.55A SOT223
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BSP122,115|NXP SemiconductorsBSP122,115
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MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223
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BSP122,115产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00023
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