BFG591 -

晶体管双极-射频, NPN, 15 V, 7 GHz, 2 W, 200 mA, 90 hFE

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制造商：: NXP NXP
制造商产品编号：: BFG591
仓库库存编号：: 1081291
技术数据表：: (EN)

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BFG591产品概述

The BFG591 is a NPN silicon planar epitaxial Wideband Transistor features high power gain and low noise figure. Intended for applications in the GHz range such as MATV or CATV amplifiers.

High transition frequency
Gold metallization ensures excellent reliability

射频通信

BFG591产品信息

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BFG591产地与重量

原产地：: Netherlands
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：: 是
税则号：: 85412900
重量（千克）：: .000264

美国1号品牌选型新加坡2号品牌选型

英国2号品牌选型英国10号品牌选型

日本5号品牌选型

晶体管极性	NPN
集电极发射电压, Vceo	15V
过渡频率, ft	7GHz
功耗 Pd	2W
集电极直流电流	200mA
直流电流增益, hFE	90hFE
射频晶体管封装	SOT-223
针脚数	3引脚
工作温度最高值	150°C
产品范围	-
汽车质量标准	-
MSL	-
关键词

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晶体管双极-射频, NPN, 15 V, 7 GHz, 2 W, 200 mA, 90 hFE

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