BFG21W,115 -

晶体管双极-射频, NPN, 4.5 V, 18 GHz, 600 mW, 500 mA, 40 hFE

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制造商：: NXP NXP
制造商产品编号：: BFG21W,115
仓库库存编号：: 1758043RL
技术数据表：: (EN)

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BFG21W,115产品概述

The BFG21W,115 is an NPN Double Polysilicon Bipolar Power Transistor with buried layer for low voltage medium power applications encapsulated in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343R package. This UHF power transistor is suitable for linear and non-linear operations.

High power gain
High efficiency

射频通信

BFG21W,115产品信息

邮箱：sales@szcwdz.com
Q Q：800152669
手机网站：m.szcwdz.com

BFG21W,115产地与重量

原产地：: Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：: 是
税则号：: 85412100
重量（千克）：: .000006

美国1号品牌选型新加坡2号品牌选型

英国2号品牌选型英国10号品牌选型

日本5号品牌选型

晶体管极性	NPN
集电极发射电压, Vceo	4.5V
过渡频率, ft	18GHz
功耗 Pd	600mW
集电极直流电流	500mA
直流电流增益, hFE	40hFE
射频晶体管封装	SOT-343R
针脚数	3引脚
工作温度最高值	150°C
产品范围	-
汽车质量标准	-
MSL	MSL 1 -无限制
关键词

BFG21W,115 -

晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 18 GHz, 600 mW, 500 mA, 40 hFE

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