2N7002PW,1829184,晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.75 V,NEXPERIA
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2N7002PW - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.75 V

NEXPERIA 2N7002PW
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制造商产品编号:
2N7002PW
仓库库存编号:
1829184
技术数据表:
(EN)
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2N7002PW产品概述

The 2N7002PW is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a Surface Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
  • Logic Level Compatible
  • Very Fast Switching
  • ESD Protection Upto 1.5kV
  • AEC-Q101 Qualified

音频, 电源管理, 车用, 工业

2N7002PW产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  310mA  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS(上)  1ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.75V  
  功耗 Pd  200mW  
  晶体管封装类型  SOT-323  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

2N7002PW产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000454
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