2N7002E,215 -

晶体管, MOSFET, N沟道, 385 mA, 60 V, 780 mohm, 10 V, 2 V

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制造商：: NEXPERIA NEXPERIA
制造商产品编号：: 2N7002E,215
仓库库存编号：: 1894721RL
技术数据表：: (EN)

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2N7002E,215产品概述

The 2N7002E,215 is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in surface mount plastic package using Trench MOSFET technology. Suitable for logic level translator and high-speed line driver.

Logic-level compatible
Very fast switching

工业

2N7002E,215替代选择

制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作

2N7002E,215
2319390
NEXPERIA

晶体管, MOSFET, N沟道, 385 mA, 60 V, 780 mohm, 10 V, 2 V
(EN)
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晶体管极性	N沟道
电流, Id 连续	385mA
漏源电压, Vds	60V
在电阻RDS（上）	780mohm
电压 @ Rds测量	10V
阈值电压 Vgs	2V
功耗 Pd	830mW
晶体管封装类型	SOT-23
针脚数	3引脚
工作温度最高值	150°C
产品范围	-
汽车质量标准	-
MSL	MSL 1 -无限制
关键词

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晶体管, MOSFET, N沟道, 385 mA, 60 V, 780 mohm, 10 V, 2 V

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