NTE2387.,4529730,场效应管, MOSFET, N沟道, 800V, 4A, TO-220,NTE ELECTRONICS
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场效应管MOSFET晶体管(600V以上)
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NTE2387.
NTE2387. -
场效应管, MOSFET, N沟道, 800V, 4A, TO-220
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制造商:
NTE ELECTRONICS
NTE ELECTRONICS
制造商产品编号:
NTE2387.
仓库库存编号:
4529730
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
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NTE2387.产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
4A
漏源电压, Vds
800V
在电阻RDS(上)
2.7ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
3V
功耗 Pd
125W
晶体管封装类型
TO-220
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
MSL
-
关键词
NTE2387.关联产品
制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
TP0006 PK5
1417099
NTE ELECTRONICS
半导体配件, 绝缘片, TO-220
(EN)
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电流, Id 连续 4A
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场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电流, Id 连续 4A
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漏源电压, Vds 800V
NTE ELECTRONICS 漏源电压, Vds 800V
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在电阻RDS(上) 2.7ohm
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电压 @ Rds测量 10V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电压 @ Rds测量 10V
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阈值电压 Vgs 3V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 阈值电压 Vgs 3V
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功耗 Pd 125W
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NTE ELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 功耗 Pd 125W
晶体管封装类型 TO-220
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针脚数 3引脚
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场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 针脚数 3引脚
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工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL -
NTE ELECTRONICS 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL -
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
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NTE2387.产地与重量
原产地:
United States
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
重量(千克):
.005
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