PMGD290XN,115.,2395486,场效应管, MOSFET阵列, 双路N 通道, 20V, 860MA, 6-sot-363,NEXPERIA
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

PMGD290XN,115. - 

场效应管, MOSFET阵列, 双路N 通道, 20V, 860MA, 6-sot-363

NEXPERIA PMGD290XN,115.
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
PMGD290XN,115.
仓库库存编号:
2395486
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
您可通过官网直接下单选定型号并完成支付(请确保型号准确),销售团队将同步审核;线下合同交易模式同步开放,具体流程请联系我司业务代表。


数据正在加载中...

PMGD290XN,115.产品信息

  晶体管极性  Dual N Channel  
  电流, Id 连续  860mA  
  漏源电压, Vds  20V  
  在电阻RDS(上)  0.29ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  1V  
  功耗 Pd  410mW  
  晶体管封装类型  SOT-363  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
关键词         

PMGD290XN,115.相关搜索

晶体管极性 Dual N Channel  NEXPERIA 晶体管极性 Dual N Channel  双路场效应管MOSFET晶体管 晶体管极性 Dual N Channel  NEXPERIA 双路场效应管MOSFET晶体管 晶体管极性 Dual N Channel   电流, Id 连续 860mA  NEXPERIA 电流, Id 连续 860mA  双路场效应管MOSFET晶体管 电流, Id 连续 860mA  NEXPERIA 双路场效应管MOSFET晶体管 电流, Id 连续 860mA   漏源电压, Vds 20V  NEXPERIA 漏源电压, Vds 20V  双路场效应管MOSFET晶体管 漏源电压, Vds 20V  NEXPERIA 双路场效应管MOSFET晶体管 漏源电压, Vds 20V   在电阻RDS(上) 0.29ohm  NEXPERIA 在电阻RDS(上) 0.29ohm  双路场效应管MOSFET晶体管 在电阻RDS(上) 0.29ohm  NEXPERIA 双路场效应管MOSFET晶体管 在电阻RDS(上) 0.29ohm   电压 @ Rds测量 4.5V  NEXPERIA 电压 @ Rds测量 4.5V  双路场效应管MOSFET晶体管 电压 @ Rds测量 4.5V  NEXPERIA 双路场效应管MOSFET晶体管 电压 @ Rds测量 4.5V   阈值电压 Vgs 1V  NEXPERIA 阈值电压 Vgs 1V  双路场效应管MOSFET晶体管 阈值电压 Vgs 1V  NEXPERIA 双路场效应管MOSFET晶体管 阈值电压 Vgs 1V   功耗 Pd 410mW  NEXPERIA 功耗 Pd 410mW  双路场效应管MOSFET晶体管 功耗 Pd 410mW  NEXPERIA 双路场效应管MOSFET晶体管 功耗 Pd 410mW   晶体管封装类型 SOT-363  NEXPERIA 晶体管封装类型 SOT-363  双路场效应管MOSFET晶体管 晶体管封装类型 SOT-363  NEXPERIA 双路场效应管MOSFET晶体管 晶体管封装类型 SOT-363   针脚数 6引脚  NEXPERIA 针脚数 6引脚  双路场效应管MOSFET晶体管 针脚数 6引脚  NEXPERIA 双路场效应管MOSFET晶体管 针脚数 6引脚   工作温度最高值 150°C  NEXPERIA 工作温度最高值 150°C  双路场效应管MOSFET晶体管 工作温度最高值 150°C  NEXPERIA 双路场效应管MOSFET晶体管 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  NEXPERIA 产品范围 -  双路场效应管MOSFET晶体管 产品范围 -  NEXPERIA 双路场效应管MOSFET晶体管 产品范围 -   汽车质量标准 -  NEXPERIA 汽车质量标准 -  双路场效应管MOSFET晶体管 汽车质量标准 -  NEXPERIA 双路场效应管MOSFET晶体管 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 - Unlimited  NEXPERIA MSL MSL 1 - Unlimited  双路场效应管MOSFET晶体管 MSL MSL 1 - Unlimited  NEXPERIA 双路场效应管MOSFET晶体管 MSL MSL 1 - Unlimited  
参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
PMGD290XN,115
[更多]
Nexperia

MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
PMGD290XN,115
[更多]
Nexperia

MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
PMGD290XN,115
[更多]
Nexperia

MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
  美国2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
PMGD290XN,115
[更多]
Nexperia

MOSFET N-CH TRENCH DL 20V

RoHS: Compliant

搜索
  日本1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
PMGD290XN,115
[更多]
Nexperia

Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R

RoHS: Compliant

搜索
  美国3号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
PMGD290XN,115
[更多]
Nexperia

Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R - Cut TR (SOS) (Alt: PMGD290XN,115/BKN)

RoHS: Compliant

搜索
PMGD290XN,115
[更多]
Nexperia

Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R - Tape and Reel (Alt: PMGD290XN,115)

RoHS: Compliant

搜索
  新加坡2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
PMGD290XN,115
[更多]
Nexperia

MOSFET, N CH, TRENCH DL, 20V, SOT363

搜索
PMGD290XN,115
[更多]
Nexperia

MOSFET, N CH, TRENCH DL, 20V, SOT363

搜索
  新加坡1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
PMGD290XN,115
[更多]
Nexperia

Dual N-Channel 20 V 350 mO 0.41 W 0.72 nC Surface Mount ?TrenchMOS - SOT-363

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
  新加坡2号仓库    查看更多相关产品
制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
PMGD290XN,115.
NEXPERIA PMGD290XN,115.
2395486

NEXPERIA

场效应管, MOSFET阵列, 双路N 通道, 20V, 860MA, 6-sot-363

(EN)
搜索
PMGD290XN,115
NEXPERIA PMGD290XN,115
1758099

NEXPERIA

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 1 V

(EN)
搜索
PMGD290XN,115
NEXPERIA PMGD290XN,115
1758099RL

NEXPERIA

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 1 V

(EN)
搜索
  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图PMGD290XN 115
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH TRENCH DL 20V
暂无PDF 
查价格库存
查看详细
PMGD290XN,115|NXPPMGD290XN,115
NXP
PMGD 系列 20 V 350 mΩ 410 mW 双N沟道 μTrenchMOS 低电平 FET - SOT-363
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
PMGD290XN115|NXPPMGD290XN115
NXP
场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 20V SOT363
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
  www.szcwdz.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图PMGD290XN,115
NXP
PMGD 系列 20 V 350 mΩ 410 mW 双N沟道 μTrenchMOS 低电平 FET - SOT-363
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
PMGD290XN,115|NXP SemiconductorsPMGD290XN,115
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 6TSSOP
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
PMGD290XN115|NXPPMGD290XN115
NXP
场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 20V SOT363
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Nexperia USA Inc. - PMGD290XN,115 - MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 860mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP

型号:PMGD290XN,115
仓库库存编号:1727-3126-1-ND
别名:1727-3126-1 <br>568-2366-1 <br>568-2366-1-ND <br>

无铅
搜索
  英国10仓库    查看更多相关产品
产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Nexperia - PMGD290XN,115 - Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET PMGD290XN,115, 860 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装

制造商零件编号:
PMGD290XN,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8394
搜索
  www.szcwdz.com.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
PMGD290XN,115|NXP SemiconductorsPMGD290XN,115
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH TRENCH DL 20V SOT363
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
电话:400-900-3095
QQ:800152669

PMGD290XN,115.产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412100
重量(千克):
.000044
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com
深圳市市场监督管理局企业主体身份公示