PC48F4400P0TB0EE,2253696,闪存, 或非, 512 Mbit, 64M x 8位, 52 MHz, 并行, BGA, 64 引脚,MICRON
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PC48F4400P0TB0EE - 

闪存, 或非, 512 Mbit, 64M x 8位, 52 MHz, 并行, BGA, 64 引脚

MICRON PC48F4400P0TB0EE
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
MICRON MICRON
制造商产品编号:
PC48F4400P0TB0EE
仓库库存编号:
2253696
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PC48F4400P0TB0EE产品概述

The PC48F4400P0TB0EE is a 512MB high performance at low voltage Flash Memory with virtual chip enable I/O voltage CE# configuration. The Numonyx? Individually erasable memory blocks are sized for optimum code and data storage. Upon initial power-up or return from reset, the device defaults to asynchronous page-mode read. Configuring the RCR enables synchronous burst-mode reads. In synchronous burst mode, output data is synchronized with user-supplied clock signal. A WAIT signal provides an easy CPU-to-flash memory synchronization. In addition to the enhanced architecture and interface, the device incorporates technology that enables fast factory program and erase operations. Designed for low voltage systems, the P33 family flash memory supports read operations with VCC at 3V and erase and program operations with VPP at 3/9V. Buffered enhanced factory programming provides the fastest flash array programming performance with VPP at 9V, which increases factory throughput.
  • High performance
  • Asymmetrically-blocked architecture
  • Four 32kB parameter blocks - Top or bottom configuration
  • Blank check to verify an erase block
  • Absolute write protection - VPP = VSS
  • Power-transition erase/program lockout
  • Individual zero-latency block locking
  • Individual block lock-down capability
  • Password access
  • Basic command set and extended function interface command set compatible
  • Common flash interface capable
  • Quality and reliability - JESD47E compliant
  • Minimum 100000 erase cycles per block

计算机和计算机周边, 工业, 通信与网络, 消费电子产品

PC48F4400P0TB0EE产品信息

  存储器容量  512Mbit  
  闪存配置  64M x 8位  
  时钟频率  52MHz  
  芯片接口类型  并行  
  封装类型  BGA  
  针脚数  64引脚  
  存取时间  95ns  
  电源电压最小值  2.3V  
  电源电压最大值  3.6V  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  85°C  
  封装  每个  
  产品范围  3V Parallel NOR Flash Memories  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
关键词         

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

PC48F4400P0TB0EE产地与重量

原产地:
Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423261
重量(千克):
.00025
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