LND150N3-G,2450521,晶体管, MOSFET, N沟道, 30 mA, 500 V, 850 ohm, 0 V,MICROCHIP
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LND150N3-G - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 30 mA, 500 V, 850 ohm, 0 V

MICROCHIP LND150N3-G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
LND150N3-G
仓库库存编号：
2450521
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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LND150N3-G产品概述

The LND150N3-G is a 500V High Voltage N-channel Depletion Mode (normally-on) Transistor utilizing lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. The LND150 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.
  • Free from secondary breakdown
  • Low power drive requirement
  • Easy to parallel
  • Excellent thermal stability
  • Integral source-drain diode
  • High input impedance and low CISS
  • ESD gate protection

电源管理

LND150N3-G产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  30mA  
  漏源电压, Vds  500V  
  在电阻RDS（上）  850ohm  
  电压 @ Rds测量  0V  
  阈值电压 Vgs  -  
  功耗 Pd  740mW  
  晶体管封装类型  TO-92  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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LND150N3-G产地与重量

原产地：
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.00025
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