DN3135N8-G.,2452269,场效应管, MOSFET, N沟道, 350V, 0.135A, TO-243AA-3,MICROCHIP
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4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
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DN3135N8-G.
DN3135N8-G. -
场效应管, MOSFET, N沟道, 350V, 0.135A, TO-243AA-3
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制造商:
MICROCHIP
MICROCHIP
制造商产品编号:
DN3135N8-G.
仓库库存编号:
2452269
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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DN3135N8-G.产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
135mA
漏源电压, Vds
350V
在电阻RDS(上)
35ohm
电压 @ Rds测量
0V
阈值电压 Vgs
-
功耗 Pd
1.3W
晶体管封装类型
SOT-89
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
关键词
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晶体管极性 N沟道
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电流, Id 连续 135mA
MICROCHIP 电流, Id 连续 135mA
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 135mA
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漏源电压, Vds 350V
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在电阻RDS(上) 35ohm
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电压 @ Rds测量 0V
MICROCHIP 电压 @ Rds测量 0V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 0V
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功耗 Pd 1.3W
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 1.3W
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晶体管封装类型 SOT-89
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DN3135N8-G.产地与重量
原产地:
Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.1
美国1号品牌选型
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