DS1230Y-200IND+,2516517,非易失随机存储器 (NVRAM), SRAM, 256 Kbit, 32K x 8位, 200 ns, EDIP,MAXIM INTEGRATED PRODUCTS
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DS1230Y-200IND+ - 

非易失随机存储器 (NVRAM), SRAM, 256 Kbit, 32K x 8位, 200 ns, EDIP

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-200IND+
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制造商产品编号:
DS1230Y-200IND+
仓库库存编号:
2516517
技术数据表:
(EN)
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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DS1230Y-200IND
库存编号:2156-DS1230Y-200IND-MA-ND
Rochester Electronics LLC IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP373
17起订
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DS1230Y-200IND-
库存编号:DS1230Y-200IND--ND
Maxim Integrated Products IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP11
1起订
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108+
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DS1230Y-200IND
库存编号:DS1230Y-200IND-ND
Maxim Integrated Products IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP0
1起订
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DS1230Y-200IND+
库存编号:700-DS1230Y-200IND
Analog Devices Inc NVRAM 256k Nonvolatile SRAM19
1起订
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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货期
(工作日)
操作
DS1230Y-200IND+
库存编号:2516517
Analog Devices Inc , , NVRAM0
1起订
1+
12+
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252+
¥511.3
¥449.36
¥424.44
¥400.86
¥383.51
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DS1230Y-200IND+产品信息

  存储器类型  SRAM  
  存储器容量  256Kbit  
  NVRAM 内存配置  32K x 8位  
  芯片接口类型  -  
  存取时间  200ns  
  封装类型  EDIP  
  针脚数  28引脚  
  电源电压最小值  4.5V  
  电源电压最大值  5.5V  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  85°C  
  封装  每个  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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DS1230Y-200IND+
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Maxim Integrated Products

IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
DS1230Y-200IND+
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Maxim Integrated Products

NVRAM 256k Nonvolatile SRAM

RoHS: Compliant

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DS1230Y-200IND
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Maxim Integrated Products

NVRAM 256k Nonvolatile SRAM

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DS1230Y-200-IND
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Maxim Integrated Products

NVRAM

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DS1230Y-200IND+
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Maxim Integrated Products

NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin EDIP - Rail/Tube (Alt: DS1230Y-200IND+)

RoHS: Compliant

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DS1230Y-200IND+
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Maxim Integrated Products

NON-VOLATILE SRAM, 256KBIT, 200NS, EDIP

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DS1230Y-200IND+
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Maxim Integrated Products

DS1230 Series 256kb (32 k x 8) 200 ns Industrial Temp Non-Volatile SRAM - DIP-28

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
DS1230Y-200IND
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Maxim Integrated Products  

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Maxim Integrated - DS1230Y-200IND+ - IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP

详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 200ns 28-EDIP

型号:DS1230Y-200IND+
仓库库存编号:DS1230Y-200IND+-ND

无铅
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Maxim Integrated - DS1230Y-200IND - IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP

详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 200ns 28-EDIP

型号:DS1230Y-200IND
仓库库存编号:DS1230Y-200IND-ND

含铅
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
DS1230Y-200IND+
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-200IND+
2516517

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS

非易失随机存储器 (NVRAM), SRAM, 256 Kbit, 32K x 8位, 200 ns, EDIP

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DS1230Y-200IND+|Maxim IntegratedDS1230Y-200IND+
Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
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Maxim Integrated
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
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Maxim Integrated Products
IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28DIP
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IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28DIP
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

DS1230Y-200IND+产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423245
重量(千克):
.000596
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