LTC4449EDCB#PBF,2294866,驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4V-6.5V电源, 3.2A输出, 13ns延迟, DFN-8,LINEAR TECHNOLOGY
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LTC4449EDCB#PBF - 

驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4V-6.5V电源, 3.2A输出, 13ns延迟, DFN-8

LINEAR TECHNOLOGY LTC4449EDCB#PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
LTC4449EDCB#PBF
仓库库存编号:
2294866
技术数据表:
(EN)
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LTC4449EDCB#PBF产品概述

The LTC4449EDCB#PBF is a high frequency Gate Driver that is designed to drive two N-Channel MOSFETs in a synchronous DC/DC converter. The powerful rail-to-rail driver capability reduces switching losses in MOSFETs with high gate capacitance. The LTC4449 features a separate supply for the input logic to match the signal swing of the controller IC. If the input signal is not being driven, the LTC4449 activates a shutdown mode that turns off both external MOSFETs. The input logic signal is internally level-shifted to the bootstrapped supply, which functions at up to 42V above ground. The LTC4449 contains under-voltage lockout circuits on both the driver and logic supplies that turn off the external MOSFETs when an under-voltage condition is present. An adaptive shoot-through protection feature is also built-in to prevent the power loss resulting from MOSFET cross-conduction current.
  • Adaptive shoot-through protection
  • Under-voltage lockout
  • Rail-to-rail output drivers
  • Separate supply to match PWM controller
  • Drives dual N-channel MOSFET
  • 3.2A Peak pull-up current
  • 4.5A Peak pull-down current
  • 8ns TG Rise time driving 3000pF load
  • 7ns TG Fall time driving 3000pF load

电源管理

LTC4449EDCB#PBF产品信息

  驱动配置  高压侧和低压侧  
  输出电流峰值  3.2A  
  电源电压最小值  4V  
  电源电压最大值  6.5V  
  驱动器封装类型  DFN  
  针脚数  8引脚  
  输入延迟  14ns  
  输出延迟  13ns  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  125°C  
  封装  每个  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

LTC4449EDCB#PBF产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423990
重量(千克):
.000012
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