LTC4440EMS8E#PBF,1273552,驱动器芯片, MOSFET, 高压侧, 4V-60V电源, 2.4A输出, 28ns延迟, MSOP-8,LINEAR TECHNOLOGY
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LTC4440EMS8E#PBF - 

驱动器芯片, MOSFET, 高压侧, 4V-60V电源, 2.4A输出, 28ns延迟, MSOP-8

LINEAR TECHNOLOGY LTC4440EMS8E#PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
LTC4440EMS8E#PBF
仓库库存编号:
1273552
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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LTC4440EMS8E#PBF产品概述

The LTC4440EMS8E#PBF is a high speed high side N-channel MOSFET Gate Driver designed to operate in applications with VIN voltages up to 80V. The LTC4440 can also withstand and continue to function during 100V VIN transients. The powerful driver capability reduces switching losses in MOSFETs with high gate capacitances. The LTC4440's pull-up has a peak output current of 2.4A and its pull-down has an output impedance of 1.5R. The LTC4440 features supply independent TTL/CMOS compatible input thresholds with 350mV of hysteresis. The input logic signal is internally level-shifted to the bootstrapped supply, which may function at up to 115V above ground. It contains both high side and low side under-voltage lockout circuits that disable the external MOSFET when activated.
  • Wide operating VIN range up to 80V
  • Rugged architecture tolerant of 100V VIN transients
  • Powerful 1.5R driver pull-down
  • Powerful 2.4A peak current driver pull-up
  • 7ns Fall time driving 1000pF load
  • 10ns rise time driving 1000pF load
  • Drives standard threshold MOSFETs
  • TTL/CMOS compatible inputs with hysteresis
  • Input thresholds are independent of supply
  • Under-voltage lockout

通信与网络, 电源管理, 计算机和计算机周边

LTC4440EMS8E#PBF产品信息

  驱动配置  高压侧  
  输出电流峰值  2.4A  
  电源电压最小值  8V  
  电源电压最大值  15V  
  驱动器封装类型  MSOP  
  针脚数  8引脚  
  输入延迟  30ns  
  输出延迟  28ns  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  85°C  
  封装  每个  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

LTC4440EMS8E#PBF产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423990
重量(千克):
.000091
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