LTC1156CSW#PBF,1273507,开关驱动器, MOSFET, 高压侧, 4.5V-18V电源, 26μs延迟, SOIC-16,LINEAR TECHNOLOGY
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LTC1156CSW#PBF - 

开关驱动器, MOSFET, 高压侧, 4.5V-18V电源, 26μs延迟, SOIC-16

LINEAR TECHNOLOGY LTC1156CSW#PBF
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制造商产品编号:
LTC1156CSW#PBF
仓库库存编号:
1273507
技术数据表:
(EN)
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LTC1156CSW#PBF Analog Devices Inc Gate Drivers 4x Hi Side uP MOSFET Drvr w/ Int Ch Pump94
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LTC1156CSW#PBF产品概述

The LTC1156CSW#PBF is a quad high-side Gate Driver allows using N-channel FETs for high-side switching applications. An internal charge pump boosts the gate drive voltage above the positive rail, fully enhancing an N-channel MOS switch with no external components. Micro-power operation with 16μA standby current and 95μA operating current, allows use in virtually all systems with maximum efficiency. Included on chip is independent over-current sensing to provide automatic shutdown in case of short circuits. A time delay can be added to the current sense to prevent false triggering on high in-rush current loads. The LTC1156 operates off of a 4.5 to 18V supply and is well suited for battery-powered applications, particularly where micro-power sleep operation is required.
  • No external charge pump components
  • Fully enhances N-channel power MOSFETs
  • Controlled switching ON and OFF times
  • Replaces P-channel high-side switches
  • Compatible with standard logic families

电源管理, 计算机和计算机周边, 消费电子产品, 电机驱动与控制

LTC1156CSW#PBF产品信息

  驱动配置  高压侧  
  输出电流峰值  -  
  电源电压最小值  4.5V  
  电源电压最大值  18V  
  驱动器封装类型  SOIC  
  针脚数  16引脚  
  输入延迟  450μs  
  输出延迟  26μs  
  工作温度最小值  0°C  
  工作温度最高值  70°C  
  封装  每个  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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Linear Technology - LTC1156CSW#PBF - IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD16SOIC
Linear Technology
IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD16SOIC

详细描述:High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 16-SOIC

型号:LTC1156CSW#PBF
仓库库存编号:LTC1156CSW#PBF-ND
别名:LTC1156CSWPBF
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LTC1156CSW#PBF产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423990
重量(千克):
.000638
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