MMIX1F520N075T2,2674812,晶体管, MOSFET, N沟道, 500 A, 75 V, 0.0016 ohm, 10 V, 5 V,IXYS SEMICONDUCTOR
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4.7μF 63V 5mm
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MMIX1F520N075T2
MMIX1F520N075T2 -
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 A, 75 V, 0.0016 ohm, 10 V, 5 V
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS SEMICONDUCTOR
IXYS SEMICONDUCTOR
制造商产品编号:
MMIX1F520N075T2
仓库库存编号:
2674812
技术数据表:
(EN)
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400-900-3095 0755-21000796, QQ:
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MMIX1F520N075T2产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
500A
漏源电压, Vds
75V
在电阻RDS(上)
0.0016ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
5V
功耗 Pd
830W
晶体管封装类型
SMT
针脚数
21引脚
工作温度最高值
175°C
产品范围
TrenchT2 GigaMOS HiperFET Series
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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晶体管极性 N沟道
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电流, Id 连续 500A
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漏源电压, Vds 75V
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在电阻RDS(上) 0.0016ohm
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电压 @ Rds测量 10V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V
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阈值电压 Vgs 5V
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功耗 Pd 830W
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晶体管封装类型 SMT
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产品范围 TrenchT2 GigaMOS HiperFET Series
IXYS SEMICONDUCTOR 产品范围 TrenchT2 GigaMOS HiperFET Series
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 TrenchT2 GigaMOS HiperFET Series
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Q Q:
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MMIX1F520N075T2产地与重量
原产地:
United States
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
Y-Ex
税则号:
85412900
重量(千克):
.008
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新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
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