MID75-12A3,2674829,晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 90 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, Y4-M5,IXYS SEMICONDUCTOR
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MID75-12A3 - 

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 90 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, Y4-M5

IXYS SEMICONDUCTOR MID75-12A3
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制造商产品编号:
MID75-12A3
仓库库存编号:
2674829
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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MID75-12A3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  集电极直流电流  90A  
  集电极发射饱和电压, Vce  2.2V  
  功耗 Pd  190W  
  集电极发射电压, Vceo  1.2kV  
  晶体管封装类型  Y4-M5  
  针脚数  5引脚  
  工作温度最高值  125°C  
  产品范围  -  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

MID75-12A3产地与重量

原产地:
Germany

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
Y-Ex
税则号:
85412900
重量(千克):
.108
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