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IXGH48N60B3C1 - 

Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 75 A, 1.8 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

IXYS SEMICONDUCTOR IXGH48N60B3C1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IXGH48N60B3C1
仓库库存编号：
1829733
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IXGH48N60B3C1产品信息

  集电极直流电流  75A  
  集电极发射饱和电压, Vce  1.8V  
  功耗 Pd  300W  
  集电极发射电压, Vceo  600V  
  晶体管封装类型  TO-247  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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QQ:800152669

IXGH48N60B3C1产地与重量

原产地：
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.006
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