IXFR140N30P,1300091,晶体管, MOSFET, N沟道, 82 A, 300 V, 26 mohm, 10 V, 5 V,IXYS SEMICONDUCTOR
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IXFR140N30P - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 82 A, 300 V, 26 mohm, 10 V, 5 V

IXYS SEMICONDUCTOR IXFR140N30P
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制造商产品编号:
IXFR140N30P
仓库库存编号:
1300091
技术数据表:
(EN)
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IXFR140N30P产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  82A  
  漏源电压, Vds  300V  
  在电阻RDS(上)  26mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  5V  
  功耗 Pd  360W  
  晶体管封装类型  ISOPLUS-247  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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IXFR140N30P
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MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247

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IXFR140N30P
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IXYS Corporation

MOSFET 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds

RoHS: Compliant

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IXFR140N30P
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MOSFET, N, ISOPLUS247

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IXFR140N30P
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IXYS Corporation

Single N-Channel 300 V 300 W 185 nC Through Hole Power Mosfet - ISOPLUS247

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MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247
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IXYS - IXFR140N30P - MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247
IXYS
MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247

详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?

型号:IXFR140N30P
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IXFR140N30P产地与重量

原产地:
Germany

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.005
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