IXFN73N30,9359281,晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 300 V, 45 mohm, 10 V, 4 V,IXYS SEMICONDUCTOR
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IXFN73N30 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 300 V, 45 mohm, 10 V, 4 V

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN73N30
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IXFN73N30
仓库库存编号：
9359281
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IXFN73N30产品概述

The IXFN73N30 is a 300V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET?) and low RDS (on) HDMOS? process. The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET?) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
  • JEDEC TO-264 AA, epoxy meets UL94V-0 flammability
  • miniBLOC with aluminium nitride isolation
  • Rugged polysilicon gate cell structure
  • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
  • Low inductance
  • High power density
  • Easy to mount
  • Space-saving s

电源管理, 工业, 照明

IXFN73N30产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  73A  
  漏源电压, Vds  300V  
  在电阻RDS（上）  45mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  520W  
  晶体管封装类型  ISOTOP  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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IXFN73N30产地与重量

原产地：
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.038102
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