IXFN60N80P,1427326,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 800 V, 140 mohm, 10 V, 5 V,IXYS SEMICONDUCTOR
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IXFN60N80P - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 800 V, 140 mohm, 10 V, 5 V

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN60N80P
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IXFN60N80P
仓库库存编号：
1427326
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IXFN60N80P产品概述

The IXFN60N80P is a 800V N-channel Enhancement Mode PolarHV? Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET?). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET?) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
  • Encapsulating epoxy meets UL94V-0 flammability
  • miniBLOC with aluminium nitride isolation
  • Fast recovery diode
  • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
  • Low inductance offers easy to drive and protect
  • High power density
  • Easy to mount
  • Space-saving s

工业

IXFN60N80P产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  60A  
  漏源电压, Vds  800V  
  在电阻RDS（上）  140mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  5V  
  功耗 Pd  1.04kW  
  晶体管封装类型  ISOTOP  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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QQ:800152669

IXFN60N80P产地与重量

原产地：
Germany

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.03
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