IXFN60N60,4905623,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 600 V, 75 mohm, 10 V, 4.5 V,IXYS SEMICONDUCTOR
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IXFN60N60 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 600 V, 75 mohm, 10 V, 4.5 V

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN60N60
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制造商产品编号:
IXFN60N60
仓库库存编号:
4905623
技术数据表:
(EN)
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IXFN60N60产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  60A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS(上)  75mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4.5V  
  功耗 Pd  600W  
  晶体管封装类型  ISOTOP  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B

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MOSFET 600V 60A

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Trans MOSFET N-CH Si 600V 60A 4-Pin SOT-227B

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MOSFET, N, SOT-227B

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Single N-Channel 600 Vds 75 mOhm 700 W Power Mosfet - SOT-227B

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IXFN60N60
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IXYS - IXFN60N60 - MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B

详细描述:底座安装 N 沟道 60A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B

型号:IXFN60N60
仓库库存编号:IXFN60N60-ND
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IXFN60N60产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.04
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