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IXFN200N10P - 

晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 V

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN200N10P
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制造商产品编号:
IXFN200N10P
仓库库存编号:
1427322
技术数据表:
(EN)
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IXFN200N10P产品概述

The IXFN200N10P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
  • Fast intrinsic rectifier
  • Rugged polysilicon gate cell structure
  • Encapsulating epoxy meets UL94V-0, flammability classification
  • Rugged polysilicon gate cell structure
  • Easy to mount
  • High power density
  • Space savings

电源管理, 照明

IXFN200N10P产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  200A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS(上)  7.5mohm  
  电压 @ Rds测量  15V  
  阈值电压 Vgs  5V  
  功耗 Pd  680W  
  晶体管封装类型  ISOTOP  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  Polar(TM) HiPerFET  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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电话:400-900-3095
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IXFN200N10P产地与重量

原产地:
Germany

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.03
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