IXFN180N20,4905684,晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 200 V, 10 mohm, 10 V, 4 V,IXYS SEMICONDUCTOR
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IXFN180N20 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 200 V, 10 mohm, 10 V, 4 V

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN180N20
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制造商产品编号:
IXFN180N20
仓库库存编号:
4905684
技术数据表:
(EN)
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IXFN180N20产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  180A  
  漏源电压, Vds  200V  
  在电阻RDS(上)  10mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  700W  
  晶体管封装类型  ISOTOP  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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IXFN180N20
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IXYS Corporation

MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IXYS Corporation

MOSFET 200V 180A

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH Si 200V 180A 4-Pin SOT-227B

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Trans MOSFET N-CH Si 200V 180A 4-Pin SOT-227B

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IXFN180N20
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IXYS Corporation

MOSFET, N, SOT-227B

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IXFN180N20
IXYS SEMICONDUCTOR IXFN180N20
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晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 200 V, 10 mohm, 10 V, 4 V

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IXYS - IXFN180N20 - MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
IXYS
MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B

详细描述:底座安装 N 沟道 180A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B

型号:IXFN180N20
仓库库存编号:IXFN180N20-ND
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场效应管 MOSFET N SOT-227B
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IXFN180N20产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.046
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