IXFN180N10,4905672,晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 180 A, 100 V, 8 mohm, 10 V, 4 V,IXYS SEMICONDUCTOR
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IXFN180N10 - 

晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 180 A, 100 V, 8 mohm, 10 V, 4 V

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN180N10
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IXFN180N10
仓库库存编号：
4905672
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IXFN180N10产品概述

The IXFN180N10 is a 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET?) and low RDS (on). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET?) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
  • miniBLOC with aluminium nitride isolation
  • Low drain-to-tab capacitance
  • Low inductance
  • Avalanche rated
  • Easy to mount
  • Space-saving s

电源管理, 工业, 照明

IXFN180N10产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  180A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS（上）  8mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  600W  
  晶体管封装类型  ISOTOP  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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IXFN180N10产地与重量

原产地：
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.042
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