IXFK80N60P3 -

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 80 A, 600 V, 0.077 ohm, 10 V, 5 V

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制造商：: IXYS SEMICONDUCTOR IXYS SEMICONDUCTOR
制造商产品编号：: IXFK80N60P3
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技术数据表：: (EN)

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IXFK80N60P3产品概述

The IXFK80N60P3 is a 600V N-channel Enhancement Mode Polar3? Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET?) and low RDS (on). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET?) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.

Dynamic dV/dt rating
Avalanche rated
Low Qg
Low drain-to-tab capacitance
Low inductance
Easy to mount
Space-saving s

电源管理, 电机驱动与控制, 工业

晶体管极性	N沟道
电流, Id 连续	80A
漏源电压, Vds	600V
在电阻RDS（上）	0.077ohm
电压 @ Rds测量	10V
阈值电压 Vgs	5V
功耗 Pd	1.3kW
晶体管封装类型	TO-264AA
针脚数	3引脚
工作温度最高值	150°C
产品范围	-
MSL	-
关键词

IXFK80N60P3 -

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 80 A, 600 V, 0.077 ohm, 10 V, 5 V

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IXFK80N60P3产品信息

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散热器, TO-247, TO-264, 3.6 °C/W, 43.5 mm, 55.8 mm, 55 mm

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