IXFH18N100Q3,2470016,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 18 A, 1 kV, 0.66 ohm, 10 V, 6.5 V,IXYS SEMICONDUCTOR
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IXFH18N100Q3 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 18 A, 1 kV, 0.66 ohm, 10 V, 6.5 V

IXYS SEMICONDUCTOR IXFH18N100Q3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IXFH18N100Q3
仓库库存编号:
2470016
技术数据表:
(EN)
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IXFH18N100Q3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  18A  
  漏源电压, Vds  1kV  
  在电阻RDS(上)  0.66ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  6.5V  
  功耗 Pd  830W  
  晶体管封装类型  TO-247  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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IXFH18N100Q3
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IXYS Corporation

MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IXFH18N100Q3
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IXYS Corporation

MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IXFH18N100Q3
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IXYS Corporation

MOSFET, N CHANNEL, 1KV, 18A, TO-247

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MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
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IXFH18N100Q3|IXYSIXFH18N100Q3
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MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
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IXYS - IXFH18N100Q3 - MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 830W(Tc) TO-247AD(IXFH)

型号:IXFH18N100Q3
仓库库存编号:IXFH18N100Q3-ND
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

IXYS - IXFH18N100Q3 - IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH18N100Q3, 18 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号:
IXFH18N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1382
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IXFH18N100Q3
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH18N100Q3
2470016

IXYS SEMICONDUCTOR

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 18 A, 1 kV, 0.66 ohm, 10 V, 6.5 V

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MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
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IXFH18N100Q3产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.006
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