IXFH12N100F,1428804,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 3 V,IXYS SEMICONDUCTOR
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

IXFH12N100F - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 3 V

IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N100F
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IXFH12N100F
仓库库存编号：
1428804
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IXFH12N100F产品概述

The IXFH12N100F is a 1000V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET designed for laser driver, induction heating, switch mode power supplies and switching industrial applications.
  • Double metal process for low gate resistance
  • Rugged polysilicon gate cell structure
  • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
  • Low inductance offers easy to drive and protect
  • Fast intrinsic rectifier
  • Space-saving s
  • High power density

电源管理, 工业

IXFH12N100F产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  12A  
  漏源电压, Vds  1kV  
  在电阻RDS（上）  1.05ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  300W  
  晶体管封装类型  TO-247AD  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
关键词         

IXFH12N100F相关搜索

晶体管极性 N沟道  IXYS SEMICONDUCTOR 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管极性 N沟道  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 12A  IXYS SEMICONDUCTOR 电流, Id 连续 12A  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电流, Id 连续 12A  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电流, Id 连续 12A   漏源电压, Vds 1kV  IXYS SEMICONDUCTOR 漏源电压, Vds 1kV  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 漏源电压, Vds 1kV  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 漏源电压, Vds 1kV   在电阻RDS（上） 1.05ohm  IXYS SEMICONDUCTOR 在电阻RDS（上） 1.05ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 在电阻RDS（上） 1.05ohm  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 在电阻RDS（上） 1.05ohm   电压 @ Rds测量 10V  IXYS SEMICONDUCTOR 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电压 @ Rds测量 10V  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs 3V  IXYS SEMICONDUCTOR 阈值电压 Vgs 3V  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 阈值电压 Vgs 3V  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 阈值电压 Vgs 3V   功耗 Pd 300W  IXYS SEMICONDUCTOR 功耗 Pd 300W  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 功耗 Pd 300W  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 功耗 Pd 300W   晶体管封装类型 TO-247AD  IXYS SEMICONDUCTOR 晶体管封装类型 TO-247AD  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管封装类型 TO-247AD  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管封装类型 TO-247AD   针脚数 3引脚  IXYS SEMICONDUCTOR 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 针脚数 3引脚  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 150°C  IXYS SEMICONDUCTOR 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  IXYS SEMICONDUCTOR 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 产品范围 -  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 产品范围 -   MSL -  IXYS SEMICONDUCTOR MSL -  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL -  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IXFH12N100F产地与重量

原产地：
Great Britain

进行最后一道重要生产流程所在的国家

税则号：
85412100
重量（千克）：
.009525
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com