IXFB52N90P,1829764,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 52 A, 900 V, 160 mohm, 10 V, 3.5 V,IXYS SEMICONDUCTOR
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IXFB52N90P
IXFB52N90P -
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 52 A, 900 V, 160 mohm, 10 V, 3.5 V
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS SEMICONDUCTOR
IXYS SEMICONDUCTOR
制造商产品编号:
IXFB52N90P
仓库库存编号:
1829764
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXFB52N90P产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
52A
漏源电压, Vds
900V
在电阻RDS(上)
160mohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
3.5V
功耗 Pd
1.25kW
晶体管封装类型
PLUS264
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
MSL
-
关键词
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制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
MC33153DG
1104702
ON SEMICONDUCTOR
芯片, IGBT驱动器
(EN)
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电压 @ Rds测量 10V
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Q Q:
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IXFB52N90P产地与重量
原产地:
United States
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.01
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