DE275X2-102N06A,1347738,晶体管, 射频FET, 1 kV, 16 A, 1.18 kW, 100 MHz, DE-275X2,IXYS RF
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DE275X2-102N06A - 

晶体管, 射频FET, 1 kV, 16 A, 1.18 kW, 100 MHz, DE-275X2

IXYS RF DE275X2-102N06A
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制造商:
IXYS RF IXYS RF
制造商产品编号:
DE275X2-102N06A
仓库库存编号:
1347738
技术数据表:
(EN)
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DE275X2-102N06A产品概述

The DE275X2-102N06A is a matched pair RF power MOSFET device in a common source configuration. The device is optimized for push-pull or parallel operation in RF generators and amplifiers at frequencies to >65MHz very low insertion inductance and isolated substrate with excellent thermal transfer. Low gate charge and capacitances easier to drive and no beryllium oxide or other hazardous materials.
  • N-channel enhancement mode
  • Common source push-pull pair
  • Low Qg and Rg
  • High dv/dt rating
  • Nanosecond switching
  • Low insertion inductance

射频通信

DE275X2-102N06A产品信息

  漏源电压, Vds  1kV  
  电流, Id 连续  16A  
  功耗 Pd  1.18kW  
  工作频率最小值  -  
  运行频率最大值  100MHz  
  射频晶体管封装  DE-275X2  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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型号 制造商 描述 操作
DE275X2-102N06A
[更多]
IXYS Corporation

MOSFET, N, RF, DE275X2

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型号 制造商 描述 操作
DE275X2-102N06A
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IXYS Corporation

N-Channel 1000 Vds 800 mOhms 50 nC 1180 W RF Power Mosfet

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图DE275X2-102N06A
IXYS
DE275X2 系列 N 沟道 1000 Vds 800 mOhms 50 nC 1180 W 射频 功率 MOSFET
Rohs

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IXYS
DE275X2 系列 N 沟道 1000 Vds 800 mOhms 50 nC 1180 W 射频 功率 MOSFET
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DE275X2-102N06A
IXYS RF DE275X2-102N06A
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IXYS RF

晶体管, 射频FET, 1 kV, 16 A, 1.18 kW, 100 MHz, DE-275X2

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DE275X2-102N06A产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.011793
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