DE150-501N04A,1347730,晶体管, 射频FET, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150,IXYS RF
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DE150-501N04A - 

晶体管, 射频FET, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150

IXYS RF DE150-501N04A
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
IXYS RF IXYS RF
制造商产品编号：
DE150-501N04A
仓库库存编号：
1347730
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DE150-501N04A产品概述

The DE150-501N04A is a N-channel enhancement mode RF Power MOSFET with isolated substrate for excellent thermal transfer and increased temperature and power cycling. Low gate charge and capacitances easier to drive and no beryllium oxide or other hazardous materials.
  • Low Qg and Rg
  • High dv/dt rating
  • Nanosecond switching

射频通信

DE150-501N04A产品信息

  漏源电压, Vds  500V  
  电流, Id 连续  4.5A  
  功耗 Pd  200W  
  工作频率最小值  -  
  运行频率最大值  100MHz  
  射频晶体管封装  DE-150  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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QQ:800152669

DE150-501N04A产地与重量

原产地：
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.002
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