HIP2101IBZ,1561951,双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 9V-14V电源, 2A输出, 25ns延迟, SOIC-8,INTERSIL
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HIP2101IBZ - 

双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 9V-14V电源, 2A输出, 25ns延迟, SOIC-8

INTERSIL HIP2101IBZ
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
HIP2101IBZ
仓库库存编号:
1561951
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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HIP2101IBZ产品概述

The HIP2101IBZ is a high frequency N-channel power MOSFET Half-Bridge Driver IC equivalent to the HIP2100 with the added advantage of full TTL/CMOS compatible logic input pins. The low-side and high-side gate drivers are independently controlled and matched to 13ns. This gives users total control over dead-time for specific power circuit topologies. Under-voltage protection on both the low-side and high-side supplies forces the outputs low. An on-chip diode eliminates the discrete diode required with other driver ICs. A new level-shifter topology yields the low-power benefits of pulsed operation with the safety of DC operation. Unlike some competitors, the high-side output returns to its correct state after a momentary under-voltage of the high-side supply.
  • Drives N-channel MOSFET half bridge
  • Bootstrap supply maximum voltage to 114VDC
  • On-chip 1R bootstrap diode
  • Fast propagation times for multi-MHz circuits
  • TTL/CMOS input thresholds increase flexibility
  • Independent inputs for non-half bridge topologies
  • No start-up problems
  • Outputs unaffected by supply glitches, HS ringing below ground or HS slewing at high dv/dt
  • Low power consumption
  • Wide supply range
  • Supply under-voltage protection

航空电子, 通信与网络, 电源管理

HIP2101IBZ产品信息

  驱动配置  半桥  
  输出电流峰值  2A  
  电源电压最小值  9V  
  电源电压最大值  14V  
  驱动器封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  输入延迟  25ns  
  输出延迟  25ns  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  125°C  
  封装  每个  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
关键词         

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

HIP2101IBZ产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423990
重量(千克):
.000181
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