VS-FB180SA10P,1611466,单晶体管 双极, N沟道, 180 A, 100 V, 6.5 mohm, 10 V,VISHAY
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VS-FB180SA10P - 

单晶体管 双极, N沟道, 180 A, 100 V, 6.5 mohm, 10 V

VISHAY VS-FB180SA10P
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
VISHAY VISHAY
制造商产品编号:
VS-FB180SA10P
仓库库存编号:
1611466
技术数据表:
(EN)
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(工作日)
操作
VS-FB180SA10P
库存编号:VS-FB180SA10P-ND
Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 100V 180A SOT-2270
160起订
160+
¥287.94
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VS-FB180SA10P产品概述

The VS-FB180SA10P is a 5th generation high current density N channel Power MOSFET is paralleled into a compact, high power module providing the best combination of switching, ruggedized design, very low on-resistance and cost effectiveness.
  • Easy to use and parallel
  • Dynamic dv/dt rating
  • Fully avalanche rated
  • Simple drive requirements
  • Low drain to case capacitance
  • Low internal inductance

工业, 商业

VS-FB180SA10P产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  180A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS(上)  6.5mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  -  
  功耗 Pd  480W  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
关键词         

VS-FB180SA10P替代选择

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VS-FB180SA10P
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 100V 180 Amp

RoHS: Compliant

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VS-FB180SA10P|INTERNATIONAL RECTIFIERVS-FB180SA10P
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET N
Rohs

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VS-FB180SA10P|INTERNATIONAL RECTIFIERVS-FB180SA10P
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET N
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Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-FB180SA10P - MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227

详细描述:底座安装 N 沟道 100V 180A(Tc) 480W(Tc) SOT-227

型号:VS-FB180SA10P
仓库库存编号:VS-FB180SA10P-ND
别名:VSFB180SA10P <br>
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VS-FB180SA10P
VISHAY VS-FB180SA10P
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VISHAY

单晶体管 双极, N沟道, 180 A, 100 V, 6.5 mohm, 10 V

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QQ:800152669

VS-FB180SA10P产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.036515
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