IRLML2246TRPBF,1888166RL,晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -1.1 V,INFINEON
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保险丝
amphenol
4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
2581138
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IRLML2246TRPBF
IRLML2246TRPBF -
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -1.1 V
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
INFINEON
INFINEON
制造商产品编号:
IRLML2246TRPBF
仓库库存编号:
1888166RL
技术数据表:
(EN)
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400-900-3095 0755-21000796, QQ:
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IRLML2246TRPBF产品概述
The IRLML2246TRPBF is a P-channel HEXFET? Power MOSFET for load/system switch.
Industry Standard Pinout
MSL1, Industrial Qualification
Multi-vendor Compatibility
Environmentally-friendly
Surface Mount
音频, 工业
IRLML2246TRPBF产品信息
晶体管极性
P沟道
电流, Id 连续
-2.6A
漏源电压, Vds
-20V
在电阻RDS(上)
0.09ohm
电压 @ Rds测量
-4.5V
阈值电压 Vgs
-1.1V
功耗 Pd
1.3W
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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电流, Id 连续 -2.6A
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -2.6A
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漏源电压, Vds -20V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -20V
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在电阻RDS(上) 0.09ohm
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.09ohm
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电压 @ Rds测量 -4.5V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -4.5V
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阈值电压 Vgs -1.1V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -1.1V
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功耗 Pd 1.3W
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 1.3W
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晶体管封装类型 SOT-23
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-23
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针脚数 3引脚
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
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工作温度最高值 150°C
INFINEON 工作温度最高值 150°C
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
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MSL MSL 1 -无限制
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
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IRLML2246TRPBF产地与重量
原产地:
China
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.000181
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
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