IRFR3806PBF,1602231,晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 60 V, 0.0126 ohm, 20 V, 4 V,INFINEON
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IRFR3806PBF - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 60 V, 0.0126 ohm, 20 V, 4 V

INFINEON IRFR3806PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRFR3806PBF
仓库库存编号：
1602231
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFR3806PBF产品概述

The IRFR3806PBF is a 60V single N-channel HEXFET? Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
  • Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
  • Fully characterized capacitance and avalanche SOA
  • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

电源管理

IRFR3806PBF产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  43A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  0.0126ohm  
  电压 @ Rds测量  20V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  71W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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IRFR3806PBF产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000686
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