IRFP7530PBF,2565770,场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 195A, TO-247AC-3,INTERNATIONAL RECTIFIER
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4.7μF 63V 5mm
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IRFP7530PBF
IRFP7530PBF -
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 195A, TO-247AC-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
INTERNATIONAL RECTIFIER
INTERNATIONAL RECTIFIER
制造商产品编号:
IRFP7530PBF
仓库库存编号:
2565770
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRFP7530PBF产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
195A
漏源电压, Vds
60V
在电阻RDS(上)
0.00165ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
3.7V
功耗 Pd
341W
晶体管封装类型
TO-247AC
针脚数
3引脚
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
-
关键词
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晶体管极性 N沟道
INTERNATIONAL RECTIFIER 晶体管极性 N沟道
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道
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电流, Id 连续 195A
INTERNATIONAL RECTIFIER 电流, Id 连续 195A
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 195A
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 195A
漏源电压, Vds 60V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 60V
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在电阻RDS(上) 0.00165ohm
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.00165ohm
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电压 @ Rds测量 10V
INTERNATIONAL RECTIFIER 电压 @ Rds测量 10V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V
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阈值电压 Vgs 3.7V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 3.7V
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功耗 Pd 341W
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 341W
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晶体管封装类型 TO-247AC
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-247AC
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针脚数 3引脚
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
工作温度最高值 175°C
INTERNATIONAL RECTIFIER 工作温度最高值 175°C
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C
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产品范围 -
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MSL -
INTERNATIONAL RECTIFIER MSL -
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
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IRFP7530PBF产地与重量
原产地:
Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
0
重量(千克):
0
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