IRFD110PBF...,1653666,晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V,VISHAY
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IRFD110PBF...
IRFD110PBF... -
晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V
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制造商:
VISHAY
VISHAY
制造商产品编号:
IRFD110PBF...
仓库库存编号:
1653666
技术数据表:
(EN)
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400-900-3095 0755-21000796, QQ:
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IRFD110PBF...产品概述
The IRFD110PBF is a N-channel Power MOSFET with combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
Dynamic dv/dt rating
Repetitive avalanche rated
Automatic insertion
End stackable
175°C Operating temperature
Fast switching and ease of paralleling
工业
IRFD110PBF...产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
1A
漏源电压, Vds
100V
在电阻RDS(上)
540mohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
4V
功耗 Pd
1.3W
晶体管封装类型
DIP
针脚数
4引脚
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
-
关键词
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晶体管极性 N沟道
VISHAY 晶体管极性 N沟道
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道
VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道
电流, Id 连续 1A
VISHAY 电流, Id 连续 1A
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 1A
VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 1A
漏源电压, Vds 100V
VISHAY 漏源电压, Vds 100V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 100V
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在电阻RDS(上) 540mohm
VISHAY 在电阻RDS(上) 540mohm
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 540mohm
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电压 @ Rds测量 10V
VISHAY 电压 @ Rds测量 10V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V
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阈值电压 Vgs 4V
VISHAY 阈值电压 Vgs 4V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 4V
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功耗 Pd 1.3W
VISHAY 功耗 Pd 1.3W
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 1.3W
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晶体管封装类型 DIP
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 DIP
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针脚数 4引脚
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 4引脚
VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 4引脚
工作温度最高值 175°C
VISHAY 工作温度最高值 175°C
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C
VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -
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MSL -
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -
VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -
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Q Q:
800152669
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IRFD110PBF...产地与重量
原产地:
Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.003402
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新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
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