IRFB7430PBF,2253784,晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.2 V,INFINEON
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IRFB7430PBF - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.2 V

INFINEON IRFB7430PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRFB7430PBF
仓库库存编号：
2253784
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFB7430PBF产品概述

The IRFB7430PBF is a 40V single N-channel HEXFET? Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. The StrongIRFET? HEXFET? power MOSFET is suitable for battery powered circuits, synchronous rectifier applications, half-bridge and full-bridge topologies.
  • Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
  • Fully characterized capacitance and avalanche SOA
  • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
  • Halogen-free

电源管理, 电机驱动与控制

IRFB7430PBF产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  195A  
  漏源电压, Vds  40V  
  在电阻RDS（上）  0.001ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2.2V  
  功耗 Pd  375W  
  晶体管封装类型  TO-220AB  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
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IRFB7430PBF产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00195
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