IRF9130,4190683,晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -100 V, 300 mohm, -10 V, -4 V,INFINEON
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IRF9130 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -100 V, 300 mohm, -10 V, -4 V

INFINEON IRF9130
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRF9130
仓库库存编号:
4190683
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF9130产品概述

The IRF9130 is a P-channel HEXFET? Power MOSFET with low on-state resistance combined with high transconductance, superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. The HEXFET transistors also feature all of the well established advantages of MOSFETs such as voltage control, very fast switching, ease of paralleling and temperature stability of the electrical parameters.
  • Hermetically sealed
  • Dynamic dv/dt rating
  • Fully avalanche rated
  • Hermetically sealed
  • Ease of paralleling

电源管理, 电机驱动与控制, 音频

IRF9130产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  11A  
  漏源电压, Vds  -100V  
  在电阻RDS(上)  0.3ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -4V  
  功耗 Pd  75W  
  晶体管封装类型  TO-204AA  
  针脚数  2引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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电话:400-900-3095
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IRF9130产地与重量

原产地:
Mexico

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.01134
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