IRF7341PBF,9102035,双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 V,INFINEON
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IRF7341PBF - 

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 V

INFINEON IRF7341PBF
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制造商产品编号:
IRF7341PBF
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9102035
技术数据表:
(EN)
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRF7341TRPBF
库存编号:IRF7341PBFDKR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO2723
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10+
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500+
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2000+
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IRF7341TRPBF
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Infineon Technologies AG MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO2723
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IRF7341PBF
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Infineon Technologies AG MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO0
1起订
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IRF7341TRPBF
库存编号:IRF7341PBFTR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO0
4000起订
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IRF7341PBF IOR Corporation TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,4.7A I(D),SO160
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IRF7341PBF International Rectifier TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,4.7A I(D),SO24
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¥24.14
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IRF7341PBF产品概述

The IRF7341PBF is a 55V dual N-channel HEXFET? Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
  • Surface mount
  • Dynamic dV/dt rating

电源管理

IRF7341PBF产品信息

  晶体管极性  双N沟道  
  电流, Id 连续  4.7A  
  漏源电压, Vds  55V  
  在电阻RDS(上)  50mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1V  
  功耗 Pd  2W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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型号 制造商 描述 操作
IRF7341TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF7341TRPBF
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MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

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MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

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IRF7341PBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET 55V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS -55V BVDSS

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IRF7341PBF
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MOSFET

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IRF7341PBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R - Rail/Tube (Alt: IRF7341PBF)

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IRF7341PBF
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Trans MOSFET N-CH 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R (Alt: IRF7341PBF)

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R (Alt: IRF7341PBF)

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IRF7341PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube

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Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube

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Dual N-Channel 55 V 0.065 Ohm 36 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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IRF7341PBF
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Infineon Technologies AG

Dual N-Channel 55 V 0.065 Ohm 36 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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IRF7341PBF
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Infineon Technologies AG

IRF7341PBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 4.7 A, 55 V, 8-Pin SOIC

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International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N/N Power dissipation: 2.0 W

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MOSFET Transistor, Matched Pair, N-Channel, SO

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MOSFET Transistor, Matched Pair, N-Channel, SO

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International Rectifier
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
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IRF7341PBF
INFINEON IRF7341PBF
9102035

INFINEON

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 V

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IRF7341PBF
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7341PBF
2565741

INTERNATIONAL RECTIFIER

双路场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, SOIC

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IR - IRF7341PBF - MOSFET N/N, 55 V 4.7 A 2.0 W SO-8, IRF7341PBF, IR
IR
MOSFET N/N, 55 V 4.7 A 2.0 W SO-8, IRF7341PBF, IR


型号:IRF7341PBF
仓库库存编号:171-15-678

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRF7341PBF - Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7341PBF, 4.7 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
IRF7341PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1758
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Infineon - IRF7341PBF - Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7341PBF, 4.7 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
IRF7341PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4921
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International Rectifier - IRF7341PBF - 8-Pin SOIC 55 V 4.7 A IRF7341PBF Dual N-channel MOSFET Transistor|70017422 | ChuangWei Electronics
International Rectifier
IRF7341PBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 4.7 A, 55 V, 8-Pin SOIC


型号:IRF7341PBF
仓库库存编号:70017422

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRF7341PBF产地与重量

原产地:
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000169
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