IRF1010EPBF,8647968,晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V,INFINEON
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IRF1010EPBF - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V

INFINEON IRF1010EPBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRF1010EPBF
仓库库存编号:
8647968
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF1010EPBF产品概述

The IRF1010EPBF is a 60V single N-channel HEXFET Power MOSFET with advanced process technology. Advanced HEXFET? power MOSFET from International rectifier utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
  • Ultra low on-resistance
  • Dynamic dv/dt rating
  • Fast switching
  • Fully avalanche rated
  • Industry-leading quality
  • Planar MOSFET technology
  • ±20V Gate to source voltage
  • 1.4W/°C Linear derating factor
  • 50A Avalanche current (IAR)
  • 0.75°C/W Thermal resistance, junction to case
  • 62°C/W Thermal resistance, junction to ambient

工业

IRF1010EPBF产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  81A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS(上)  12mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  170W  
  晶体管封装类型  TO-220AB  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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QQ:800152669

IRF1010EPBF产地与重量

原产地:
Mexico

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.002712
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